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MAX19997A
Dual, SiGe High-Linearity, 1800MHz to 2900MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, standard RF band (see Table 1), V CC = 5.0V, LO is high-side injected for a 350MHz IF, P LO = 0dBm,
P RF = -5dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
60
55
50
45
40
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
60
55
50
45
40
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
60
55
50
45
40
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
35
T C = -30 ° C, +25 ° C, +85 ° C
35
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
35
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
30
30
30
2200
2400
2600
2800
3000
2200
2400
2600
2800
3000
2200
2400
2600
2800
3000
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT vs. LO FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
0
-10
T C = -30 ° C
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT vs. LO FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
0
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-10
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT vs. LO FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
0
-10
-20
-30
-40
T C = +25 ° C, +85 ° C
-30
-40
-30
-40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
2550
2750
2950
3150
3350
2550
2750
2950
3150
3350
2550
2750
2950
3150
3350
40
30
20
10
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
T C = +85 ° C
T C = -30 ° C
T C = +25 ° C
40
30
20
10
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
40
30
20
10
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, STANDARD RF BAND)
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
2200
2400
2600
2800
3000
2200
2400
2600
2800
3000
2200
2400
2600
2800
3000
Maxim Integrated
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
11
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